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IRFP3306	文件：335.24 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP3306PBF	文件：300.69 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3306PBF	文件：301.62 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP3306PBF_15	文件：301.62 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR330	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR330A	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR330B	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR330B	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU330	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFU330A	文件：345.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU330B	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU330B	文件：345.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY330	文件：11.41 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage. VDSS=400V ID=5.5A RDS(ON)=1.2?	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY330C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRKD330	文件：834.04 Kbytes Page：4 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
IRKT330	文件：1.38583 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
ISM330BX	文件：7.29319 Mbytes Page：150 Pages	6-axisIMU(inertialmeasurementunit)withwidebandwidth,low-noiseaccelerometer,embeddedAIandsensorfusionforindustrialapplications Features ?3-axisaccelerometerwithselectablefullscale:±2/±4/±8g ?3-axisgyroscopewithextendedselectablefullscale: ±125/±250/±500/±1000/±2000/±4000dps ?3-axisaccelerometerwithflat,widebandwidth(2kHz)frequencyresponseand lownoise(70μg/√HzovertheSPI/I2C/I3Cinterfa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
ISM330DHCX	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	MotionMEMSandmicrophoneMEMSexpansionboardforSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
ISM330DHCX	文件：1.81604 Mbytes Page：11 Pages	SensorTileWirelessIndustrialNodedevelopmentkitandreference	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
ISM330DHCXTR	文件：1.20609 Mbytes Page：10 Pages	Industrialsensorevaluationkitforconditionmonitoringbasedonthe2.4GHzSTM32WB5MMGmodule Features ?Kitcontent: –theSTEVAL-PROTEUSmainboard –LiPobattery3.7V,480mAh –Plasticcaseandscrews ?MaincomponentsontheSTEVAL-PROTEUS: –STM32WB5MMG-ultra-low-powermodule,dualcore32-bitArmCortex- M4MCU64MHz,Cortex-M0+32MHzforreal-timeradiolayer,with 1M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFP330
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	700	20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFP3306PBF	Infineon Technologies	24+	TO-247AC	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市龍瀚電子有限公司	IRFP3306PBF	IR	16+	TO-247	6119	全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IRFP3306PBF	IR	2020+	TO-247	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON/英飛凌	20+	TO-247	400	進(jìn)口原裝假一賠十支持含稅	詢價
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON	20+	TO-247	1750	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON/英飛凌	24+		210494	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON	23+	TO-247	1750	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFP3306PBF	INFINEON	23+	SMD	918000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFP3306PBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-247	7648	原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>	詢價

更多IRFP330供應(yīng)商更新時間2025-1-19 19:20:00

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