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IRFL4105

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFL4105

Ultra Low On-Resistance

Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFL4105

Marking：IRFL4105；Package：SOT-223；60V N-Channel IRFL4105

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EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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IRFL4105PBF

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IRFR4105

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=27A??

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFL4105

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR/VISHAY
SOT223
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
IOR
24+
SOT22
5000
原廠授權代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
IR
23+
SOT-223
4000
原廠原裝正品
 詢價
IR
24+
SOT-223
500757
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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SOT-223
19526
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05/06+
SOT223
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17+
SOT-223
6200
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IR
24+
原廠封裝
5182
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多IRFL4105供應商 更新時間2025-3-20 14:00:00

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