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HEXFET Power MOSFET
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD220
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
333 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIP-4 |
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IR |
22+23+ |
DIP-4 |
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HARRIS(哈利斯) |
23+ |
DIP4 |
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詢價 | ||
IR |
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HEXDIP |
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IR |
01+P |
DIP-4 |
26900 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
HD-1 |
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VISHAY |
DIP-4 |
68900 |
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IR |
22+ |
HD-1 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
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詢價 |
