IRFD120中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFD120規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD120
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
DIP |
6500 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
INTERNATIONALRECTIFIER |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
HD-1 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
13 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
HARRIS/哈里斯 |
21+ |
DIP |
1062 |
只做原裝正品,不止網(wǎng)上數(shù)量,歡迎電話微信查詢! |
詢價 | ||
MOT |
90/91 |
144 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
Vishay Siliconix |
21+ |
4DIP |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
INTERSIL |
NA |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
IR-VISHA |
1815+ |
DIP4 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
DIP |
96880 |
只做原裝，公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 |
