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IRF6617TR1

HEXFETPowerMOSFET

Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF6617TR1PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
詢價(jià)
IOR
2006
DIRECTFET
898
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢
詢價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? ST
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QFN
1000
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50000
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NA
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IR
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
更多IRF6617TR1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 16:30:00