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IRF6612TR1

HEXFETPowerMOSFET

Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF6612TR1PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
詢價
IR
23+
SOT223
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IOR
2016+
QFN
6523
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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IOR
23+
QFN/Dir
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IOR
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QFN/Dir
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Infineon Technologies
21+
DIRECTFET? MX
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IR
23+
QFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IRF6612TR1PBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 16:30:00

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