IRF640NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF640NL規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF640NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO262 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!? |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
IR |
TO-262 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO262 |
18 |
詢價(jià) |
