IRF640L中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF640L規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the last lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application. The through-hole version (IRF640L/SiHF640L) is available for low-profile applications.
FEATURES
? Surface Mount
? Low-Profile Through-Hole
? Available in Tape and Reel
? Dynamic dV/dt Rating
? 150 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF640L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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