IRF640中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF640 |
| 功能描述 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| 文件大小 |
132.2 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-31 12:48:00 |
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These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Features
? 18A, 200V
? rDS(ON) = 0.180?
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speed
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
? Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF640
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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