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IRF620A	文件：259.43 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF620A	文件：70.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?LowRDS(on)=0.626W(TYP) ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF620B	文件：875.31 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF620FI	文件：184.68 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.55? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(UPS) ■MOTORCONTROL,AUDIOAMPLIFIERS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF620FI	文件：43.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF620N	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF620PBF	文件：884.29 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRF620PBF	文件：1.59241 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620PBF	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF620R	文件：45.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighspeedapplications, suchasswitchingpowersupplies,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. ?FEATURES ?LowRDS(on) ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSpeed ?Rugged ?LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF620S	文件：198.69 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4	IRF International Rectifier	IRF
IRF620S	文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.80ohm,ID=5.2A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620S	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620SPBF	文件：1.82495 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.80廓,ID=5.2A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF620SPBF	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620STRL	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620STRLPBF	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF620STRLPBFA	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF620A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB

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更多IRF620A供應(yīng)商更新時間2024-10-26 10:32:00

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