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IRF5800

Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm)

Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra

IRF

International Rectifier

IRF5800_03

Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF5800PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

KSM5800

HighperformancetrenchtechnologyforextermlylowRdson

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

LTC5800

DualMicropower,1.4V/關(guān)sPrecisionRail-to-RailOutputAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC5800

DualMicropower,5V/關(guān)sPrecisionRail-to-RailOutputAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC5800-IPM

2.4GHz802.15.4EternaTMMote-on-Chip

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC5800-IPR

2.4GHz802.15.4EternaTMEmbeddedNetworkManager-on-Chip

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC5800-WHM

2.4GHz802.15.4EternaTMMote-on-Chip

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC5800WR

2.4GHz802.15.4EternaTMEmbeddedNetworkManager-on-Chip

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF5800

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRF5800供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 14:04:00