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IRF1010NSPBF	文件：297.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NSPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF1010Z	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010Z	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤7.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010ZL	文件：302.08 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF1010NS-LF	IR	23+		8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市仟禧電子有限公司	IRF1010NSMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR/VISHAY	22+	SOT-263	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF1010NSMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	23+	D2-PAK	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	IRF1010NSMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	24+	D2-PAK	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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