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IRF1010EZS中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF1010EZS |
| 功能描述 | isc N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件大小 |
287.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-11 23:00:00 |
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IRF1010EZS規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010EZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
6698 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
I |
24+ |
DPAK |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10065 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
VBsemi/臺灣微碧 |
23+ |
DPAK |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工廠現(xiàn)貨!原裝正品! |
詢價 |
