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IPU60R950C6	文件：32.81 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPU60R950C6	文件：1.08793 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPU60R950C6	文件：247.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IIPD60R950C6	文件：335.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIPP60R950C6	文件：338.19 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPA60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA60R950C6	文件：1.21195 Mbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS??C6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA60R950C6	文件：269.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220FPackage ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPA60R950C6	文件：1.19162 Mbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS??C6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPB60R950C6	文件：189.45 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB60R950C6	文件：1.92971 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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更多IPU60R950C6供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:03:00

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