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IPU20N03L	文件：158.76 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ME20N03	文件：1.01584 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MI20N03	文件：1.01579 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20N03HDL	文件：739.42 Kbytes Page：38 Pages	1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator 1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
MTD20N03HDL	文件：250.81 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD20N03HDL	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HDLG	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HDLT	文件：101.35 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20N03HL	文件：1.01542 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD20N03	文件：447.31 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features ?Ultra?LowRDS(on),SingleBase,AdvancedTechnology ?SPICEParametersAvailable ?DiodeisCharacterizedforuseinBridgeCircuits ?IDSSandV(on)SpecifiedatElevatedTemperatures ?HighAvalancheEnergySpecified TypicalApplications ?PowerSupplies ?InductiveLoads ?	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
NTD20N03G	文件：1.01617 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD20N03HL	文件：1.01525 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD20N03	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD20N03SM	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD20N03SM	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
SDD20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDD20N03L	文件：960.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：960.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SSD20N03	文件：693.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION TheSSD20N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPD20N03LGXT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IPD20N03LGXT	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IPD20N03LGXT	INFINEON	23+		7000		詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	IPD20N03LMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	22+	SOT-252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IPD20N03LMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	IPD20N03LMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	24+	TO252	1800	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IPD20N03LMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	2022	TO-252	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	IPD20N03LMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	22+	DPAK	17951		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IPD20N03LP	INFINEON	24+	SOT-252	3000		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IPD20N03LP	INFINEON	24+	TO252	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IPD20N03LP	Infineon/英飛凌	1937+	TO252	9852	只做進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)

更多IPD20N03LGXT供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 15:01:00

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