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IPD30N03S2L-20

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-20

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-20

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-20

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

SPD30N03S2L-20G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

SPD30N03S2L-20G

OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevel

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IPD30N03S2L-20

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
20+
TO-252
16300
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
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INFINEON
21+
TO-252
15000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
22500
只做原廠渠道 可追溯貨源
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Infineon(英飛凌)
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N/A
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON
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TO252
5000
正規(guī)渠道,只有原裝!
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INFINEON/英飛凌
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
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INFINEON/英飛凌
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11000
全新原裝現(xiàn)貨
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9548
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
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Infineon(英飛凌)
23+
TO252
13816
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
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更多IPD30N03S2L-20供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 9:00:00