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IPD20N03LG

OptiMOS??Buckconverterseries

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters ?Pb.freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU20N03L

OptiMOSBuckconverterseries

OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ME20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

MI20N03

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

MTD20N03HDL

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator

1.5ASwitch-ModePowerSupplywithLinearRegulator The34701providesthemeanstoefficientlysupplytheFreescalePowerQUICC?I,II,andotherfamiliesofFreescalemicroprocessorsandDSPs.The34701incorporatesahighperformanceswitchingregulator,providingthedirectsupplyforthemi

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MTD20N03HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES30VOLTSRDS(on)=0.035OHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20N03HDL

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLG

N-ChannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HDLT

PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20N03HL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPD20N03L G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
DPAK(TO-252)
8866
詢價
INFINEON
24+
TO-252
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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TO-252
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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專做原裝正品,假一罰百!
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多IPD20N03L G供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:30:00