訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>IPD10N03LA>芯片詳情
IPD10N03LA_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 25V 30A DPAK納艾斯
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IPD10N03LA
- 功能描述:
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商
- 企業(yè):
深圳市納艾斯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖小姐
- 手機:
13117514091
- 詢價:
- 電話:
0755-/82781136/2707495
- 傳真:
0755-82707495
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路賽格大廈5803A
相近型號
- IPD11DP10NMATMA1
- IPD100N04S4L02ATMA1
- IPD122N10N3
- IPD100N04S4L-02
- IPD122N10N3/G
- IPD100N04S402ATMA1
- IPD122N10N3G
- IPD100N04S4-02
- IPD122N10N3GATMA1
- IPD09N05
- IPD127N06L
- IPD09N03LBG
- IPD127N06LG
- IPD127N06LGBTMA1
- IPD09N03LAG
- IPD12CN10N
- IPD09N03LA
- IPD12CN10NG
- IPD096N08N3GATMA1
- IPD12CN10NGATMA1
- IPD096N08N3G
- IPD12CN10NGHF
- IPD090N03LGATMA1
- IPD12CNE8NG
- IPD090N03LG
- IPD12N03L
- IPD090N03LAG
- IPD12N03LB
- IPD090N03L
- IPD12N03LBG
- IPD088N06N3GBTMA1
- IPD12NLBG
- IPD088N06N3G
- IPD135N03L
- IPD088N06N3
- IPD135N03LG
- IPD088N04LG
- IPD135N03LGATMA1
- IPD082N10N3GATMA1
- IPD135N03LGBTMA1
- IPD082N10N3G
- IPD135N08N3G
- IPD07N50C3
- IPD135N08N3GATMA1
- IPD07N03LAG
- IPD13N03LA
- IPD079N06L3GBTMA1
- IPD13N03LAG
- IPD079N06L3GATMA1
- IPD079N06L3G