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詳細參數

型號：
IPB06N03LA G
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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更多IPB06N03LA G供應商更新時間2025-1-17 16:30:00

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