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IPI06N03LA

Marking：06N03LA；Package：TO-263-3；OptiMOS 2 Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?N-channel ?Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP06N03LA

OptiMOS2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?N-channel ?Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS06N03LA

OptiMOS2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

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IPS06N03LA

OptiMOS?2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

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IPS06N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS06N03LB

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS06N03LZ

Idealforhigh-frequencydc/dcconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS06N03LZG

Idealforhigh-frequencydc/dcconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU06N03LA

OptiMOS2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

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IPU06N03LA

OptiMOS2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPI06N03LA

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IPI06N03LA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 16:30:00

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