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IMT65R022M1H分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMT65R022M1H |
| 參數屬性 | IMT65R022M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個；產品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | SiC N-Channel MOSFET |
| 封裝外殼 | 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
420.31 Kbytes |
| 頁面數量 |
4 頁 |
| 生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-17 16:30:00 |
| 人工找貨 | IMT65R022M1H價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
IMT65R022M1H規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
產品屬性
- 產品編號：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 系列：
CoolSiC?
- 包裝：
管件
- 技術：
SiC（碳化硅結晶體管）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應商器件封裝：
PG-HSOF-8-1
- 封裝/外殼：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價 | ||
Nanotec |
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NANOTEC |
20+ |
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Infineon(英飛凌) |
24+ |
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NANOTEC |
23+ |
原廠封裝 |
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NANOTEC |
23+ |
ZIP25 |
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詢價 | ||
N/A |
23+ |
SMD |
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INFINEON/英飛凌 |
21+ |
QFN |
3000 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價 |
