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IMT65R022M1H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號：

    IMT65R022M1H

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    3000

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN

  • 生產(chǎn)批號：

    21+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-7-30 10:03:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：IMT65R022M1H品牌：INFINEON/英飛凌

正規(guī)渠道原裝正品

IMT65R022M1H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝QFN/8-PowerSFN的IMT65R022M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號：

    IMT65R022M1H

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大小：

    1524.03 kb

  • 資料說明：

    MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IMT65R022M1HXUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    CoolSiC?

  • 包裝：

    管件

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    18V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼：

    8-PowerSFN

  • 描述：

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市千科宇科技有限公司

  • 商鋪：

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