首頁(yè) >IKW50N65H5>規(guī)格書列表
零件編號(hào) | 下載&訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
IKW50N65H5 | High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
IKW50N65H5 | 650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
High speed switching series fifth generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighspeedIGBTinTRENCHSTOPTM5technology FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering: ?Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies ?PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs ?650Vbreakdownvoltage ?LowgatechargeQG ?Maximumjunctiontemperature175°C ?Dynamicallystresste | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP5technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
650VIGBThighspeedseriesfifthgeneration | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
IKW50N65H5
- 功能描述:
IGBT 晶體管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
21+ |
TO247-3 |
15000 |
INFINEON 650V IGBT晶體管 IKW50N65H5 公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
TO-247 |
22000 |
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫(kù)存 價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
60000 |
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEO |
16+ |
TO-247 |
36000 |
原裝正品,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存81 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247 |
10000 |
英飛凌代理渠道,只做原裝QQ:2369405325 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
TO-247 |
18045 |
原裝進(jìn)口假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEO |
22+ |
TO-247 |
8600 |
原裝正品!!!優(yōu)勢(shì)庫(kù)存!0755-83210901 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO247 |
58 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2128 |
TO-247 |
240 |
原廠原包深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
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