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IKW50N65H5A分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW50N65H5A
廠商型號

IKW50N65H5A
參數(shù)屬性

IKW50N65H5A 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
功能描述

High speed switching series fifth generation
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
文件大小

1.98217 Mbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-2 18:34:00

IKW50N65H5A規(guī)格書詳情

IKW50N65H5A屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW50N65H5A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IKW50N65H5AXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    450μJ（開），160μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    21ns/173ns

  • 測試條件：

    400V，25A，12 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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