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IKW30N60TA	文件：671.46 Kbytes Page：14 Pages	Designed for DC/AC converters for Automotive Application	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS30N60K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS30N60K	文件：136.66 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS30N60KPBF	文件：135.75 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●Lead-Free Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitan	IRF International Rectifier	IRF
IXFA30N60X	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFA30N60X	文件：212.15 Kbytes Page：5 Pages	AdvanceTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：141.46 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：323.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60P	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features ●FastRecoverydiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Internationalstandardpackages ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60P	文件：337.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60Q	文件：591.42 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ?Lowgatecharge ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60Q	文件：337.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH30N60X	文件：383.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFP30N60X	文件：295.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFQ30N60X	文件：301.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR30N60	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IKW30N60TA
功能描述：
IGBT 晶體管 IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IKW30N60TA	Infineon	18+	NA	3407	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	23+	TO247-3-21	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	1427+	TO247	30	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市福安甌科技有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	23+	TO247	11220	英飛凌優(yōu)勢原裝IC,高效BOM配單。	詢價(jià)
深圳市華鑫創(chuàng)達(dá)電子有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	22+	TO247	10000	公司原裝現(xiàn)貨,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	IKW30N60TA	IFNINEON	2018	TO-247	2000		詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IKW30N60TA	Infineon Technologies	23+	原裝	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	24+	TO247	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IKW30N60TA	Infineon Technologies	23+	原裝	7000		詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	IKW30N60TA	INFINEON/英飛凌	23+	原裝正品現(xiàn)貨	10000	TO247	詢價(jià)

更多IKW30N60TA供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 14:15:00

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