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IKW03N120H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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  • 廠家型號(hào)：

    IKW03N120H

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    62000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-4-13 11:06:00

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原廠料號(hào)：IKW03N120H

一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

  • 芯片型號(hào)：

    IKW03N120H2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    381.11 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IKW03N120H2FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，3A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    290μJ

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    9.2ns/281ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，3A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場(chǎng)C座26J

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