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IIRFP2907Z	文件：335.09 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2907S	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907Z	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2907ZLPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=160A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=160A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2907ZS	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZS	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2907ZSPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=160A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2907ZSTRLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFC2907B	文件：18.66 Kbytes Page：1 Pages	HEXFETPowerMOSFETDieinWaferForm ●100TestedatProbe ●AvailableinTapeandReel,ChipPack,SawnonFilmandGelPack** ●UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFP2907	文件：115.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=4.5mohm,Id=209A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingte	IRF International Rectifier	IRF

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更多IIRFP2907Z供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:03:00

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