首頁(yè)>IGZ100N65H5XKSA1>芯片詳情

IGZ100N65H5XKS 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IGZ100N65H5XKS參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IGZ100N65H5XKS

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    240

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 15:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：IGZ100N65H5XKS品牌：INFINEON

IGZ100N65H5XKS是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝240/TO-247-4的IGZ100N65H5XKS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IGZ100N65H5XKS

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IGZ100N65H5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop? 5

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，100A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    850μJ（開(kāi)），770μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/421ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，50A，8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-4

  • 描述：

    IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    馬總

  • 手機(jī)：

    18322198211

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    18322198211

  • 地址：

    天津市南開(kāi)區(qū)科研西路12號(hào)356室

相近型號(hào)