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IGW30N100T

Marking：G30T100；Package：PG-TO247-3；Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnology ?TrenchStop?andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat ?Designedf

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW30N100TFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

HighSpeed2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFK30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFX30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTB30N100L

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IGW30N100T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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INFINEON/英飛凌
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更多IGW30N100T供應商 更新時間2025-2-15 13:00:00

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