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IGA30N60H3

High speed switching series third generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGA30N60H3XKSA1

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 18A 43W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns?ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGP30N60H3

TrenchandFieldstopIGBT

DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IGP30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

TRENCHSTOPtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW30N60H3

HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IGA30N60H3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 HI SPEED SWITCHING 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON
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TO220-3 FP
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
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TO220-3 FP
7000
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INFINEON
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TO220-3
3000
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詢價(jià)
Infineon
22+
NA
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Infineon Technologies
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TO220331
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
21+
TO220331
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
TO220331
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
PG-TO220-3-31 整包
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
更多IGA30N60H3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 13:59:00