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IDW20G65C5

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

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IDW20G65C5

Marking：D2065C5；Package：PG-TO247-3；SiC Silicon Carbide Diode

1Description ThinQ!?Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyfortheSiC SchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthin-wafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyoverallload conditions,resultingfromboththeimprovedtherm

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IDW20G65C5_12

ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

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IDW20G65C5B

650V SiC Schottky Diode

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IDW20G65C5B_15

650V SiC Schottky Diode

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IDW20G65C5BXKSA2

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3

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IDW20G65C5FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3

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IDW20G65C5XKSA1

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3

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IDH20G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDW20G65C5

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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更多IDW20G65C5供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 9:38:00

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