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IIOT-I530	文件：697.04 Kbytes Page：3 Pages	ComputingVisionIPCw/11thGenIntel?Core?iSeriesCPU(CodenamedTigerLake-UP3) Features ?11thGenIntel?Core?iCPU(Uptoi7-1185GRE) ?2xDDR42133/2400SO-DIMM,Max.64GB ?6xPoE+,2xEthernetPorts,2xCOMPorts,4xUSB3.0 ?Intel?Iris?XeGraphics,2xHDMI,8xDI&4xDO ?1xM.2B-Keyw/NanoSIMFor5G,1xM.2E-KeyForWiFi-6, 1xM.2M-KeyForPCIeGen4x4	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
IIOT-I530A	文件：697.04 Kbytes Page：3 Pages	ComputingVisionIPCw/11thGenIntel?Core?iSeriesCPU(CodenamedTigerLake-UP3) Features ?11thGenIntel?Core?iCPU(Uptoi7-1185GRE) ?2xDDR42133/2400SO-DIMM,Max.64GB ?6xPoE+,2xEthernetPorts,2xCOMPorts,4xUSB3.0 ?Intel?Iris?XeGraphics,2xHDMI,8xDI&4xDO ?1xM.2B-Keyw/NanoSIMFor5G,1xM.2E-KeyForWiFi-6, 1xM.2M-KeyForPCIeGen4x4	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
IIOT-I530C	文件：697.04 Kbytes Page：3 Pages	ComputingVisionIPCw/11thGenIntel?Core?iSeriesCPU(CodenamedTigerLake-UP3) Features ?11thGenIntel?Core?iCPU(Uptoi7-1185GRE) ?2xDDR42133/2400SO-DIMM,Max.64GB ?6xPoE+,2xEthernetPorts,2xCOMPorts,4xUSB3.0 ?Intel?Iris?XeGraphics,2xHDMI,8xDI&4xDO ?1xM.2B-Keyw/NanoSIMFor5G,1xM.2E-KeyForWiFi-6, 1xM.2M-KeyForPCIeGen4x4	LANNER Lanner All Rights Reserved.	LANNER
IIRF530N	文件：338.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRL530N	文件：338.12 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IR530	文件：509.14 Kbytes Page：6 Pages	CiscoIR530SeriesResilientMeshRangeExtenders	CISCOCisco Systems, Inc. 思科	CISCO
IRC530	文件：226.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) HEXFET?PowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=0.16Ω ID=14A	IRF International Rectifier	IRF
IRC530PBF	文件：1.30865 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF530	文件：481.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET14AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.140Ω	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF530	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	Motorola Motorola, Inc	Motorola
IRF530	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF530	文件：187.75 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：281.94 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL100V-0.115W-14ATO-220LOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-channelenhancementmodePOWERMOSfieldeffecttransistors.EasydriveandveryfastswitchingtimesmakethesePOWERMOStransistorsidealforhighspeedswitchingapplications.ApplicationsincludeDC/DCconverters,UPSbatterychargers,s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：175.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530	文件：192.7 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate TMOSE?FET.?PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain?to?sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
IRF530	文件：356.3 Kbytes Page：6 Pages	14.0A100VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IB530
制造商：
IBase Technology(USA) Inc.
功能描述：
3.5, AMD LX700(433MHZ), VGA, 10/100 LANX2, 18BIT LVDS, COM - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IB55	AMSCO	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	IB59	NEC		ROHS	13352	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
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更多IB530供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 15:00:00

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