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IRF530中文資料TRSYS數據手冊PDF規(guī)格書

IRF530
廠商型號

IRF530

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE

文件大小

481.96 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Transys Electronics
企業(yè)簡稱

TRSYS

中文名稱

Transys Electronics官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-31 12:48:00

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IRF530規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

TMOS POWER FET 14 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.140 Ω

產品屬性

  • 型號:

    IRF530

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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