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HRP180N10K	文件：921.24 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Trench MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFE180N10	文件：78.29 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：524.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·SynchronousRectification ·LowVoltagerelays ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8m? trr≤250ns SingleMOSFETDie Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?High	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTC180N10T	文件：297.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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NDBA180N10B	文件：345.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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