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IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	Single MOSFET Die VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK180N10_09	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFET Power MOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：524.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·SynchronousRectification ·LowVoltagerelays ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8m? trr≤250ns SingleMOSFETDie Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?High	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTC180N10T	文件：297.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：384.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTH180N10T	文件：210.65 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N10T	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXTQ180N10T	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDBA180N10B	文件：727.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDBA180N10B	文件：345.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDPL180N10B	文件：296.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IXFK180N10
功能描述：
MOSFET 100V 180A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IXFK180N10	IXYS	24+		320		詢價
深圳市星佑電子有限公司	IXFK180N10	IXY	06+	TO-3PL	500	原裝庫存	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IXFK180N10	IXYS	23+	管3PL	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFK180N10	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
千層芯半導體(深圳)有限公司	IXFK180N10	IXYS	2018+	SMD	5500	長期供應原裝現(xiàn)貨實單可談	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IXFK180N10	IXYS	20+	TO-3L	35830	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IXFK180N10	IXYS	2020+	TO-264	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	IXFK180N10	IXYS	2023+	TO-3L	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
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深圳市興燦科技有限公司	IXFK180N10	IXYS	24+	TO-3PL	186		詢價

更多IXFK180N10供應商更新時間2024-10-27 10:00:00

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