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HM60N06	文件：510.83 Kbytes Page：6 Pages	Special process technology for high ESD capability	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM60N06K	文件：628.53 Kbytes Page：6 Pages	Special process technology for high ESD capability	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS60N06D	文件：838.05 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRLO60N06H	文件：574.2 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KF60N06P	文件：86.67 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrection,electroniclampballastsbasedonhalfbridgetopology,DC/	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
ME60N06G	文件：990.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTB60N06	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTM60N06	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM60N06	文件：95.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP60N06	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP60N06	文件：295.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP60N06HD	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP60N06HD	文件：979.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP60N06HD	文件：229.27 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP60N06MLK	文件：545.25 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多HM60N06供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 15:21:00

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