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MTB60N06HD	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS HDTMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB60N06HD	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB60N06HDT4	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB60N06HDT4	文件：986.07 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTM60N06	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：95.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06	文件：295.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP60N06HD	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.014OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP60N06HD	文件：979.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP60N06HD	文件：229.27 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06MLK	文件：545.25 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：529.47 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：544.69 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP60N06VDK	文件：442.27 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MTB60N06HD
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	MTB60N06HD	ON/安森美	24+		5200	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	MTB60N06HD	ON/安森美	24+	TO-263	505348	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTB60N06HD	ON	24+	N/A	1500		詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTB60N06HD	ON	23+	TO-263	6893		詢價
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實業(yè)有限公司	MTB60N06HD	ON	17+	TO263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
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更多MTB60N06HD供應(yīng)商更新時間2024-11-17 16:36:00

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