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HM20N60A	文件：532.49 Kbytes Page：10 Pages	the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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HMG20N60A	文件：633.94 Kbytes Page：5 Pages	20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKP20N60T	文件：746.77 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP20N60T	文件：505.48 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKW20N60TA	文件：606.62 Kbytes Page：13 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ?AutomotiveAECQ101qualified ?DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ISPP20N60CFD	文件：338.5 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.22? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISPW20N60CFD	文件：334.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤220m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXDP20N60B	文件：77.18 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode VCES=600V IC25=32A VCE(sat)typ=2.2V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultr	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	HM20N60A	H	23+	TO-3P	10000	公司只做原裝正品	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HM20N60A	-	23+	NA	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	HM20N60A	H	23+	TO-3P	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
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