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HM20N60A

the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM20N60F

thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HMG20N60A

20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IKB20N60T

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKB20N60T

IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode

InfineonInfineon Technologies AG

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IKB20N60TA

600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP20N60T

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP20N60T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP20N60T

IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode

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IKP20N60T

IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode

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HMSEMI
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多HM20N60A供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 14:01:00

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