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HLDD30N10

Marking:D30N10;Package:TO-252;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達廣東匯利達半導體有限公司

HLDD30N10

Marking:D30N10;Package:TO-252;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HM30N10

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM30N10D

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HM30N10K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

LMAK30N10

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

P30N10

N-channel100V,0.02廓typ.,32ASTripFET??F7PowerMOSFETinaTO-220package

Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET?F7technologywithanenhanced trenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternal capacitanceandgatechargeforfasterandmore efficientswitching. Features ?AmongthelowestRDS(o

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STB30N10

N-CHANNEL100V-0.06ohm-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.06?-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.06? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■VERYHIGHCURRENTCAPABILITY ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STU30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

UTT30N10

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

UTT30N10

30A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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HUILIDA匯利達
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更多HLDD30N10供應商 更新時間2025-1-14 19:10:00