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P30N10

N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET?F7technologywithanenhanced trenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternal capacitanceandgatechargeforfasterandmore efficientswitching. Features ?AmongthelowestRDS(o

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

30N10

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

30N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

AM30N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=50mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?LEDbackl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CJD30N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CJD30N10

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

CJU30N10

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

CJU30N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

F30N10G

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features ?VDS=100V,ID=30A ?RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) ?RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired ?SurfaceMountPackage MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FIR30N10LG

100VN-ChannelMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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INFINEON
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TO-TO-220
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更多P30N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 16:30:00

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