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Marking：HL025N065SC1；Package：TO247-3L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) ?LowCapacitance(Coss=278pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelin | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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