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HGTP12N60C3中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
HGTP12N60C3 |
| 參數(shù)屬性 | HGTP12N60C3 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
| 功能描述 | 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
| 文件大小 |
119.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Intersil Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Intersil |
| 中文名稱 | Intersil Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-1 19:06:00 |
HGTP12N60C3規(guī)格書詳情
The HGTP12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
Features
? 24A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
HGTP12N60C3
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，12A
- 開關能量：
380μJ（開），900μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價 | ||||
ON實際數(shù)量電話咨詢 |
23+ |
TO-220 |
12800 |
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23+ |
NA/ |
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原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
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HGTP12N60C3 |
540 |
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onsemi(安森美) |
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