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HGTP12N60C3中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HGTP12N60C3
廠商型號(hào)

HGTP12N60C3

參數(shù)屬性

HGTP12N60C3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 24A 104W TO220AB

功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

文件大小

131.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-1 19:06:00

HGTP12N60C3規(guī)格書詳情

The HGTP12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTP12N60C3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A 104W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價(jià)
ON實(shí)際數(shù)量電話咨詢
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