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HGTG5N120BND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

HGTG5N120BND參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTG5N120BND

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    10200

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號：

    1939

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-1 18:35:00

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原廠料號：HGTG5N120BND品牌：ONSemi

全新原裝公司現(xiàn)貨

HGTG5N120BND是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSemi/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的HGTG5N120BND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTG5N120BND

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    89.22 kb

  • 資料說明：

    21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG5N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    450μJ（開），390μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    22ns/160ns

  • 測試條件：

    960V，5A，25 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市訊順達(dá)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13392848532

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82722282/0755-82727234

  • 傳真：

    0755-82767002

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)廣場A座15KL

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