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HGTG30N60A4D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTG30N60A4D

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    4500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    新批次

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-1 16:18:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGTG30N60A4D品牌：onsemi/安森美

HGTG30N60A4D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的HGTG30N60A4D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTG30N60A4D

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    100.45 kb

  • 資料說明：

    600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG30N60A4D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    280μJ（開），240μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 463W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅 浩

  • 手機(jī)：

    19854773352

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    14789300331

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟2003F19

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