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HGTG20N100D2中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HGTG20N100D2
廠商型號

HGTG20N100D2

功能描述

20A, 1000V N-Channel IGBT

文件大小

36.82 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-1 17:18:00

HGTG20N100D2規(guī)格書詳情

Description

The HGTG20N100D2 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between +25°C and +150°C.

Features

? 34A, 1000V

? Latch Free Operation

? Typical Fall Time 520ns

? High Input Impedance

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HGTG20N100D2

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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