首頁>HGTG12N60C3D>規(guī)格書詳情

HGTG12N60C3D中文資料HARRIS數據手冊PDF規(guī)格書

HGTG12N60C3D
廠商型號

HGTG12N60C3D
參數屬性

HGTG12N60C3D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產品描述：IGBT 600V 24A 104W TO247
功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
文件大小

102.49 Kbytes
頁面數量

7 頁
生產廠商 Harris Corporation
企業(yè)簡稱

HARRIS

中文名稱

Harris Corporation
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2024-11-1 19:06:00

HGTG12N60C3D規(guī)格書詳情

Description

The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in antiparallel with the IGBT is the development type TA49061.

Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 210ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產品屬性

  • 產品編號：

    HGTG12N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    380μJ（開），900μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 24A 104W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現貨,可提供技術支持、樣品免費!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247
90000
只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術支持
 詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
FSC
22+23+
原廠原包
23259
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨
 詢價
FSC
TO247
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現貨!
 詢價
Fairchild/ON
22+
TO247
9000
原廠渠道,現貨配單
 詢價
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢價
ON/安森美
22+
SMD
9000
原裝正品
 詢價
仙童
05+
TO-247
6000
原裝進口
 詢價

相關庫存

更多