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HGTD7N60C3S9A 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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  • 廠家型號：

    HGTD7N60C3S9A

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    ONSEMI/安森美半導體

  • 庫存數量：

    4500

  • 產品封裝：

    TO-252

  • 生產批號：

    新批次

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2024-11-1 16:18:00

  • 詳細信息
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原廠料號：HGTD7N60C3S9A品牌：onsemi/安森美

HGTD7N60C3S9A是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi/安森美/onsemi生產封裝TO-252/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的HGTD7N60C3S9A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTD7N60C3S9A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    HGTD7N60C3S9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，7A

  • 開關能量：

    165μJ（開），600μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 600V 14A TO252AA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    羅 浩

  • 手機：

    19854773352

  • 詢價：
  • 電話：

    14789300331

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀A棟2003F19

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