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HGTD1N120BNS9A 絲印1N120B IGBT晶體管 TO-252 全新原裝正品

HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 產(chǎn)品分類：

    MOSFET

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    32500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    現(xiàn)貨庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-2 13:11:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGTD1N120BNS9A品牌：ON

原裝現(xiàn)貨、合作持久、假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    96.46 kb

  • 資料說明：

    5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開關(guān)能量：

    70μJ（開），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    15ns/67ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市長(zhǎng)旗科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    15817260738

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

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  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座1518

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