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GTRA214602FC-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 490 W, 48 V, 2110 – 2170 MHz

Description TheGTRA214602FCisa490-watt(P3dB)GaNonSiChigh electronmobilitytransistor(HEMT)designedforusein multi-standardcellularpoweramplifierapplications.It featuresinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

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更多GTRA214602FC-V1-R0供應商 更新時間2024-11-15 17:29:00

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